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Si7810DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.20
0.16
0.12
T A = 25°C, unless otherwise noted
1000
800
600
C iss
0.08
V GS = 6 V
V GS = 10 V
400
C oss
0.04
0.00
200
0
C rss
0
4
8
12
16
20
0
20
40
60
80
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2.2
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
V DS = 50 V
I D = 5.4 A
2.0
1.8
V GS = 10 V
I D = 5.4 A
1.6
6
1.4
1.2
4
1.0
2
0
0.8
0.6
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
20
10
1
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.16
0.12
0.08
0.04
0.00
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 5.4 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 70689
S-81544-Rev. C, 07-Jul-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
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